English
Spain
China
Italy
GermanyKSH112ITU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
KSH112ITU
Примечания
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
KSH112ITU Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
25MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
I-PAK
Base Product Number
KSH11
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi KSH112ITU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(KSH112)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
EDA Models
1(KSH112ITU Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : MJD112-1G
Производитель : onsemi
Имеющееся количество : 153
Стоимость единицы : $1.03000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 153
Стоимость единицы : $1.03000
Тип замены : Parametric Equivalent