Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IRF5305SPBF
Примечания
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Подробное описание
P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
IRF5305SPBF Models
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IRF5305

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

*IRF5305SPBF
SP001563340

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF5305SPBF

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IRF5305S/L)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Design/Specification
1(Material Chg 24/Nov/2015)
PCN Packaging
1(Barcode Label Update 24/Feb/2017)
HTML Datasheet
1(IRF5305S/L)
EDA Models
1(IRF5305SPBF Models)
Simulation Models
1(IRF5305S Saber Model)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IXTA52P10P
Производитель : IXYS
Имеющееся количество : 1,166
Стоимость единицы : $6.62000
Тип замены : Similar