APT80SM120J

Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя

APT80SM120J

Примечания

SICFET N-CH 1200V 51A SOT227

Подробное описание

N-Channel 1200 V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Производитель

Microsemi Corporation

Стандартный срок поставки

Модель EDACAD

Стандартная упаковка

1

Запасы поставщиков

>>>Нажмите для просмотра<<<

Технические нормы

Mfr

Microsemi Corporation

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

51A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

235 nC @ 20 V

Vgs (Max)

+25V, -10V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

273W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Chassis Mount

Supplier Device Package

SOT-227

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Другие названия

150-APT80SM120J

APT80SM120J-ND

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation APT80SM120J

Документация и средства массовой информации

Environmental Information

()

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Devices 16/Oct/2017)

Количественные цены

-

Альтернативы

-

392-108-559-201 FFMD-10-S-02.00-01-F-RW 714-91-131-31-018000 Q-1U00V0003012i 3224G-2-502E

APT80SM120J

Номер запчасти

Технические нормы

Классификация окружающей среды и экспорта

Другие названия

Категория

Документация и средства массовой информации

Количественные цены

Альтернативы

Похожие продукты