English
Spain
China
Italy
GermanyNP82N04MDG-S18-AY
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
NP82N04MDG-S18-AY
Примечания
MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Подробное описание
N-Channel 40 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Through Hole TO-220-3
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
128
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-NP82N04MDG-S18-AY-RE
RENRNSNP82N04MDG-S18-AY
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NP82N04MDG-S18-AY
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(NP82N04NDG-S18-AY)
Количественные цены
Количество: 128
Стоимость единицы: $2.35
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 128
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 128
Альтернативы
-