Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
TP65H150G4PS
Примечания
GAN FET N-CH 650V TO-220
Подробное описание
N-Channel 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Производитель
Transphorm
Стандартный срок поставки
16 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Transphorm
Series
SuperGaN®
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
598 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Transphorm TP65H150G4PS

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(TP65H150G4PS)

Количественные цены

Количество: 2000
Стоимость единицы: $3.51354
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1000
Стоимость единицы: $3.74962
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 500
Стоимость единицы: $4.16624
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $4.7218
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 50
Стоимость единицы: $5.2772
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $6.61
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-