English
Spain
China
Italy
GermanyEPC2102ENGRT
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
EPC2102ENGRT
Примечания
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Подробное описание
Mosfet Array 60V 23A (Tj) Surface Mount Die
Производитель
EPC
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
EPC
Series
eGaN®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
EPC210
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Другие названия
917-EPC2102ENGRDKR
917-EPC2102ENGRTR
917-EPC2102ENGRCT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/EPC EPC2102ENGRT
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(EPC2102)
Product Training Modules
1(eGaN Integrated GaN Power)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(EPC2102)
Количественные цены
-
Альтернативы
-