English
Spain
China
Italy
GermanyBUK6E2R0-30C,127
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BUK6E2R0-30C,127
Примечания
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Производитель
Nexperia USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
BUK6E2R0-30C,127 Models
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14964 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
BUK6E2R0-30C,127-ND
568-7503-5-ND
568-7503-5
934064471127
1727-5886
BUK6E2R030C127
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. BUK6E2R0-30C,127
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BUK6E2R0-30C)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mid-Year Product Disc 30/Jun/2017)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(BUK6E2R0-30C)
EDA Models
1(BUK6E2R0-30C,127 Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IPI120N04S401AKSA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 435
Стоимость единицы : $3.53000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 435
Стоимость единицы : $3.53000
Тип замены : Similar