English
Spain
China
Italy
GermanyFDB5690
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FDB5690
Примечания
MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB
Подробное описание
N-Channel 60 V 32A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
173
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
58W (Tc)
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-FDB5690-FSTR
FAIFSCFDB5690
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDB5690
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FDB5690)
Количественные цены
Количество: 173
Стоимость единицы: $1.74
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 173
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 173
Альтернативы
-