English
Spain
China
Italy
GermanySSU1N60BTU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SSU1N60BTU
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
2,219
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
215 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
FAIFSCSSU1N60BTU
2156-SSU1N60BTU
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor SSU1N60BTU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SSR1N60BTM)
Количественные цены
Количество: 2219
Стоимость единицы: $0.14
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 2219
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 2219
Альтернативы
-