English
Spain
China
Italy
GermanyIRLI610ATU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRLI610ATU
Примечания
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,902
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
FAIFSCIRLI610ATU
2156-IRLI610ATU-FS
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor IRLI610ATU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRLI610ATU)
Количественные цены
Количество: 1902
Стоимость единицы: $0.16
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1902
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1902
Альтернативы
-