English
Spain
China
Italy
GermanySIA444DJT-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIA444DJT-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Подробное описание
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number
SIA444
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SIA444DJT-T1-GE3-ND
SIA444DJT-T1-GE3DKR
SIA444DJT-T1-GE3CT
SIA444DJT-T1-GE3TR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIA444DJT-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIA444DJT-T1-GE3)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
HTML Datasheet
1(SIA444DJT-T1-GE3)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : SIA400EDJ-T1-GE3
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 151,951
Стоимость единицы : $0.60000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 151,951
Стоимость единицы : $0.60000
Тип замены : Similar