Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
RN1911FETE85LF
Примечания
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
4,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN1911

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Другие названия

RN1911FE(TE85L,F)
RN1911FETE85LFCT
RN1911FETE85LFTR
RN1911FETE85LFDKR

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(RN1910,11FE Datasheet)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : EMH3T2R
Производитель : Rohm Semiconductor
Имеющееся количество : 528
Стоимость единицы : $0.39000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : EMH4T2R
Производитель : Rohm Semiconductor
Имеющееся количество : 22,408
Стоимость единицы : $0.39000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : MUN5215DW1T1G
Производитель : onsemi
Имеющееся количество : 8,650
Стоимость единицы : $0.32000
Тип замены : Similar