English
Spain
China
Italy
GermanyIRFAF50
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFAF50
Примечания
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Подробное описание
N-Channel 900 V 6.2A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
Производитель
International Rectifier
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
43
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-204AA (TO-3)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
IRFIRFIRFAF50
2156-IRFAF50
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRFAF50
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 43
Стоимость единицы: $7.05
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 43
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 43
Альтернативы
-