English
Spain
China
Italy
GermanyIRF3706PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF3706PBF
Примечания
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Подробное описание
N-Channel 20 V 77A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
88W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP001563152
*IRF3706PBF
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF3706PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF3706(S,L)PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF3706(S,L)PbF)
Количественные цены
-
Альтернативы
-