English
Spain
Rusia
China
GermanyIRFIZ14G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFIZ14G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 8A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
27W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRFIZ14
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFIZ14G
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFIZ14G)
HTML Datasheet
1(IRFIZ14G)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRFIZ14GPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 3,814
Prezzo unitario. : $1.58000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 3,814
Prezzo unitario. : $1.58000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : MTP3055VL
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 33
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 33
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar