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Germany2SC5819(TE12L,ZF)
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC5819(TE12L,ZF)
DESCRIZIONE
TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 1.5 A 1 W Surface Mount PW-MINI
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Box
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
120mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
400 @ 150mA, 2V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-243AA
Supplier Device Package
PW-MINI
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
264-2SC5819(TE12L,ZF)
264-2SC5819(TE12LZF)
264-2SC5819(TE12L,ZF)-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819(TE12L,ZF)
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SC5819)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-