English
Spain
Rusia
China
GermanyPBSS4260QAZ
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PBSS4260QAZ
DESCRIZIONE
NOW NEXPERIA PBSS4260QA - SMALL
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 2 A 180MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
PRODUTTORE
NXP Semiconductors
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,904
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP Semiconductors
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
190mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 2A, 2V
Power - Max
325 mW
Frequency - Transition
180MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q100
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-PBSS4260QAZ
NEXNEXPBSS4260QAZ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP Semiconductors PBSS4260QAZ
Documenti e supporti
Datasheets
1(PBSS4260QAZ Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 3904
Prezzo unitario: $0.08
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3904
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3904
Sostituti
-