Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPA180N10N3GXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IFEINFIPA180N10N3GXKSA1
SP000480108
IPA180N10N3G
2156-IPA180N10N3GXKSA1

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPA180N10N3GXKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPA180N10N3 G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPA180N10N3 G)
Simulation Models
1(MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPP180N10N3GXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 326
Prezzo unitario. : $1.23000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FQPF70N10
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $2.54000
Tipo sostitutivo. : Similar