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GermanyFDB86360_SN00307
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDB86360_SN00307
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
253 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
333W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FDB863
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDB86360_SN00307
Documenti e supporti
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 10/Mar/2017)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FDB86360-F085
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 1,454
Prezzo unitario. : $5.69000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 1,454
Prezzo unitario. : $5.69000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent