DF11MR12W1M1B11BOMA1

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

DESCRIZIONE

SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A Chassis Mount AG-EASY1BM-2

PRODUTTORE

Infineon Technologies

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

24

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

Infineon Technologies

Series

-

Package

Tray

Product Status

Obsolete

Technology

Silicon Carbide (SiC)

Configuration

2 N-Channel (Dual)

FET Feature

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Power - Max

-

Operating Temperature

-40°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Chassis Mount

Package / Case

Module

Supplier Device Package

AG-EASY1BM-2

Base Product Number

DF11MR12

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Altri nomi

2156-DF11MR12W1M1B11BOMA1

INFINFDF11MR12W1M1B11BOMA1

SP001602238

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1

Documenti e supporti

Datasheets

1(DF11MR12W1M1_B11)

HTML Datasheet

1(DF11MR12W1M1_B11)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

TCSD-25-D-15.00-01-F-N RNC55H5493FSRE765 FTS-112-01-F-DV-P-TR ATS-05G-164-C1-R0 LB15WGG01

DF11MR12W1M1B11BOMA1

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Altri nomi

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