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Germany2SC2619FBTR-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC2619FBTR-E
DESCRIZIONE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 230MHz 150 mW Surface Mount 3-MPAK
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,803
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.1V @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2mA, 12V
Power - Max
150 mW
Frequency - Transition
230MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
3-MPAK
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-2SC2619FBTR-E
RENRNS2SC2619FBTR-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SC2619FBTR-E
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1803
Prezzo unitario: $0.17
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1803
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1803
Sostituti
-