English
Spain
Rusia
China
GermanyIXTX550N055T2
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTX550N055T2
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 550A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
45 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
TrenchT2™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
550A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
595 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Package / Case
TO-247-3 Variant
Base Product Number
IXTX550
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTX550N055T2
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXT(K,X)550N055T2)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXT(K,X)550N055T2)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 300
Prezzo unitario: $16.67403
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Sostituti
-