Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQP3P20
DESCRIZIONE
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 200 V 2.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
422

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Altri nomi

FAIFSCFQP3P20
2156-FQP3P20

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQP3P20

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 422
Prezzo unitario: $0.71
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 422

Sostituti

-