English
Spain
Rusia
China
GermanyNGB8207ABNT4G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NGB8207ABNT4G
DESCRIZIONE
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT 365 V 20 A 165 W Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
444
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
365 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 3.7V, 10A
Power - Max
165 W
Switching Energy
-
Input Type
Logic
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Altri nomi
ONSONSNGB8207ABNT4G
2156-NGB8207ABNT4G-OS
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/onsemi NGB8207ABNT4G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NGB8207ANT4G)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 444
Prezzo unitario: $0.68
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 444
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 444
Sostituti
-