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China
GermanyFGA25N120ANTDTU
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FGA25N120ANTDTU
DESCRIZIONE
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
NPT and Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 50A
Power - Max
312 W
Switching Energy
4.1mJ (on), 960µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
200 nC
Td (on/off) @ 25°C
50ns/190ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
350 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Base Product Number
FGA25N120
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-FGA25N120ANTDTU-OS
ONSONSFGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU-NDR
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
FGA25N120ANTDTU_NL
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/onsemi FGA25N120ANTDTU
Documenti e supporti
Datasheets
1(FGA25N120ANTDTU)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Parts obs 30/Jun/2022)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev A/T Chgs 17/Mar/2023)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(FGA25N120ANTDTU)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXYR50N120C3D1
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $12.15110
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $12.15110
Tipo sostitutivo. : Similar