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GermanySI7403BDN-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI7403BDN-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7403
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SI7403BDN-T1-GE3CT
SI7403BDNT1GE3
SI7403BDN-T1-GE3DKR
SI7403BDN-T1-GE3TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI7403BDN-T1-GE3
Documenti e supporti
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML Datasheet
1(SI7403BDN)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SIS407DN-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 51,767
Prezzo unitario. : $0.97000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 51,767
Prezzo unitario. : $0.97000
Tipo sostitutivo. : Similar