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Germany2SC2735JTR-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC2735JTR-E
DESCRIZIONE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor NPN 20V 50mA 1.2GHz 150mW Surface Mount 3-MPAK
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,704
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Frequency - Transition
1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
6.5dB @ 200MHz
Gain
21dB
Power - Max
150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
3-MPAK
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
RENRNS2SC2735JTR-E
2156-2SC2735JTR-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SC2735JTR-E
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 2704
Prezzo unitario: $0.11
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2704
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2704
Sostituti
-