Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQPF17N08
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 11.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
807

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-FQPF17N08-FS
FAIFSCFQPF17N08

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQPF17N08

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQPF17N08)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 807
Prezzo unitario: $0.37
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 807

Sostituti

-