Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
C3M0075120J
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
PRODUTTORE
Wolfspeed, Inc.
INIZIATIVA STANDARD
34 Weeks
MODELLO EDACAD
C3M0075120J Models
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Wolfspeed, Inc.
Series
C3M™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
113.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Base Product Number
C3M0075120

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-3312-C3M0075120J
C3M0075120J-ND
1697-C3M0075120J

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Wolfspeed, Inc. C3M0075120J

Documenti e supporti

Datasheets
1(C3M0075120J)
Featured Product
()
PCN Design/Specification
()
Article Library
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
EDA Models
1(C3M0075120J Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 500
Prezzo unitario: $13.59056
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $14.9965
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 50
Prezzo unitario: $15.9338
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $19.68
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-