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Germany94-4582
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
94-4582
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IRF5305
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001520922
*IRF5305S
IRF5305S
IRF5305S-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies 94-4582
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF5305S/L)
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Quantità Prezzo
-
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