Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRL6283MTRPBF
DESCRIZIONE
DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 20 V 38A (Ta), 211A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MD
PRODUTTORE
International Rectifier
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
301

Specifiche tecniche

Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Ta), 211A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.75mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
158 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8292 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MD
Package / Case
DirectFET™ Isometric MD

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Altri nomi

INFIRFIRL6283MTRPBF
2156-IRL6283MTRPBF

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRL6283MTRPBF

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 301
Prezzo unitario: $1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 301

Sostituti

-