Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHD6N62ET1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
10 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,000

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
620 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
578 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SIHD6

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SIHD6N62ET1-GE3DKR
SIHD6N62ET1-GE3CT
SIHD6N62ET1-GE3-ND
SIHD6N62ET1-GE3TR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHD6N62ET1-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SIHD6N62E-GE3)
PCN Design/Specification
1(Reel Design Change 29/Dec/2022)
HTML Datasheet
1(SIHD6N62E-GE3)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 10000
Prezzo unitario: $0.58988
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2000
QUANTITÀ: 6000
Prezzo unitario: $0.61842
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2000
QUANTITÀ: 2000
Prezzo unitario: $0.64935
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2000

Sostituti

Parte n. : STB6NK60ZT4
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 33
Prezzo unitario. : $2.57000
Tipo sostitutivo. : Similar