English
Spain
Rusia
China
GermanySI8447DB-T2-E1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI8447DB-T2-E1
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 20 V 11A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Package / Case
6-UFBGA
Base Product Number
SI8447
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SI8447DBT2E1
SI8447DB-T2-E1TR
SI8447DB-T2-E1DKR
SI8447DB-T2-E1CT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI8447DB-T2-E1
Documenti e supporti
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(SI8447DB)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $0.169
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $0.2
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-