Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SA1962-O(Q)
DESCRIZIONE
TRANS PNP 230V 15A TO3P
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P(N)
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
2SA1962-O(Q) Models
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
230 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Power - Max
130 W
Frequency - Transition
30MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P(N)
Base Product Number
2SA1962

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Altri nomi

2SA1962-OQ
2SA1962OQ
2SA1962-O-NDR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1962-O(Q)

Documenti e supporti

Datasheets
1(2SA1962)
HTML Datasheet
1(2SA1962)
EDA Models
1(2SA1962-O(Q) Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : 2SA1962OTU
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 5,186
Prezzo unitario. : $4.22000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : NJW21194G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 16
Prezzo unitario. : $4.00000
Tipo sostitutivo. : Similar