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GermanySI7925DN-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI7925DN-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.3W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Product Number
SI7925
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SI7925DN-T1-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SI7925DN)
HTML Datasheet
1(SI7925DN)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI7913DN-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 1,751
Prezzo unitario. : $1.58000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 1,751
Prezzo unitario. : $1.58000
Tipo sostitutivo. : Direct