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Germany30C02S-TL-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
30C02S-TL-E
DESCRIZIONE
BIP NPN 0.6A 30V
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 600 mA 540MHz 200 mW Surface Mount 3-SMCP
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
6,662
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
190mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 50mA, 2V
Power - Max
200 mW
Frequency - Transition
540MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device Package
3-SMCP
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-30C02S-TL-E
ONSONS30C02S-TL-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 30C02S-TL-E
Documenti e supporti
Datasheets
1(30C02MH)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 6662
Prezzo unitario: $0.05
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 6662
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 6662
Sostituti
-