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GermanyFQP630
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQP630
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
807
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-FQP630-FS
FAIFSCFQP630
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQP630
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQP630)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 807
Prezzo unitario: $0.37
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 807
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 807
Sostituti
-