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GermanyDMJ70H600SH3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
DMJ70H600SH3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
PRODUTTORE
Diodes Incorporated
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
643 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
113W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
DMJ70
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated DMJ70H600SH3
Documenti e supporti
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Obsolete Notice 02/Nov/2022)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXTU8N70X2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 64
Prezzo unitario. : $6.31000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 64
Prezzo unitario. : $6.31000
Tipo sostitutivo. : Similar