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China
GermanyIXTP36N30T
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTP36N30T
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 300 V 36A (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IXTP36
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTP36N30T
Documenti e supporti
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-