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GermanyDTC114EBT2L
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
DTC114EBT2L
DESCRIZIONE
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMN3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMN3
PRODUTTORE
Rohm Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
250 MHz
Power - Max
150 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-923F
Supplier Device Package
VMN3
Base Product Number
DTC114
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Rohm Semiconductor DTC114EBT2L
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-