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GermanyAR1L3N-AZ
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AR1L3N-AZ
DESCRIZIONE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 60 V 1 A 750 mW Through Hole TO-92
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
738
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Power - Max
750 mW
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
RENRNSAR1L3N-AZ
2156-AR1L3N-AZ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation AR1L3N-AZ
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 738
Prezzo unitario: $0.41
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 738
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 738
Sostituti
-