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GermanyBSS159NL6906HTSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSS159NL6906HTSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
44 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT23
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
BSS159N L6906CT
BSS159N L6906DKR
BSS159NL6906
BSS159N L6906TR-ND
BSS159NL6906HTSA1TR
BSS159N L6906DKR-ND
BSS159NL6906HTSA1DKR
BSS159N L6906-ND
BSS159N L6906
BSS159N L6906CT-ND
BSS159NL6906HTSA1CT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS159NL6906HTSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSS159N)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSS159N)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : BSS159NH6906XTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 19,956
Prezzo unitario. : $0.75000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 19,956
Prezzo unitario. : $0.75000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent