English
Spain
Rusia
China
GermanyHUF75631S3ST
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HUF75631S3ST
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
132
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Altri nomi
FAIFSCHUF75631S3ST
2156-HUF75631S3ST
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF75631S3ST
Documenti e supporti
Datasheets
1(HUF75631S3ST Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 132
Prezzo unitario: $2.29
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 132
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 132
Sostituti
-