Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NE3508M04-A
DESCRIZIONE
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 2 V 10 mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04
PRODUTTORE
CEL
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1

Specifiche tecniche

Mfr
CEL
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
GaAs HJ-FET
Frequency
2GHz
Gain
14dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
120mA
Noise Figure
0.45dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
18dBm
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
SOT-343F
Supplier Device Package
F4TSMM, M04

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/CEL NE3508M04-A

Documenti e supporti

Datasheets
1(RF Wireless Brochure)
PCN Obsolescence/ EOL
()
PCN Design/Specification
1(Wafer Fab Chg 08/Jan/2016)
HTML Datasheet
1(NE3508M04)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-