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GermanyIXFN52N100X
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFN52N100X
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1000 V 44A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
47 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6725 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
830W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN52
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN52N100X
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFN52N100X Datasheet)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(1000 V Ultra-Junction X-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $41.6851
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $47.491
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $53.3
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-