English
Spain
Rusia
China
GermanyIXTQ18N60P
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTQ18N60P
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
98 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
Polar
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
IXTQ18
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTQ18N60P
Documenti e supporti
Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Design/Specification
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(IXTQ18N60P, IXTV18N60P/PS)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 300
Prezzo unitario: $3.8859
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Sostituti
Parte n. : FCH041N60F
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 368
Prezzo unitario. : $12.66000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 368
Prezzo unitario. : $12.66000
Tipo sostitutivo. : Similar