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GermanySIHP4N80E-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHP4N80E-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
10 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SIHP4
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHP4N80E-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIHP4N80E)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)
HTML Datasheet
1(SIHP4N80E)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1000
Prezzo unitario: $0.94738
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Sostituti
Parte n. : SIHP4N80E-BE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $2.00000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $2.00000
Tipo sostitutivo. : Direct