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Germany2SB1201T-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SB1201T-E
DESCRIZIONE
TRANS PNP 50V 2A TP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 150MHz 800 mW Through Hole TP
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
2SB1201T-E Models
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Power - Max
800 mW
Frequency - Transition
150MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Supplier Device Package
TP
Base Product Number
2SB1201
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-2SB1201T-E-ON
ONSONS2SB1201T-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SB1201T-E
Documenti e supporti
Environmental Information
()
EDA Models
1(2SB1201T-E Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : 2SA2126-H
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 5
Prezzo unitario. : $0.78000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 5
Prezzo unitario. : $0.78000
Tipo sostitutivo. : Similar