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GermanyIRFH6200TR2PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFH6200TR2PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
400
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10890 pF @ 10 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRFH6200TR2PBFTR
IRFH6200TR2PBFDKR
IRFH6200TR2PBFCT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFH6200PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Environmental Information
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH6200PBF)
Simulation Models
1(IRFH6200TR2PBF Saber Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SIR404DP-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 28,147
Prezzo unitario. : $1.94000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 28,147
Prezzo unitario. : $1.94000
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