Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDI8442
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
197

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
254W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-FDI8442-FS
FAIFSCFDI8442

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDI8442

Documenti e supporti

Datasheets
1(FDI8442)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 197
Prezzo unitario: $1.53
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 197

Sostituti

-